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J-GLOBAL ID：201002241012068930   整理番号：10A0254883

有機金属分解によるCe添加Bi₂Ti₂O₇薄膜への結晶化方法による影響

The influence of crystallization route on the Ce-doped Bi₂Ti₂O₇ thin film by metal organic decomposition

著者 (6件)： WANG J.c. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Jinan, Jinan 250022, CHN) ,  YANG C.h. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Jinan, Jinan 250022, CHN) ,  HU G.d. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Jinan, Jinan 250022, CHN) ,  WU W.b. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Jinan, Jinan 250022, CHN) ,  CHENG L. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Jinan, Jinan 250022, CHN) ,  CHEN X.m. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Jinan, Jinan 250022, CHN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 494  号： 1-2  ページ： 285-288  発行年： 2010年04月02日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ150nmのCe:Bi₂Ti₂O₇(Ce:BTO)薄膜を有機金属分解法によりp型Si(100)基板に直接成長させた。膜の構造と電気的性質への異なる結晶化方法による影響を調べた。X線回折パターンから純粋なパイロクロアCe:BTO膜が逐次的な層の熱処理(SLA)により550°Cで得られた。しかし,通常熱処理(CA)で熱処理した膜は650°Cの温度でも他の相は認められなかった。SLAにより550°CとCAにより650°Cで作製したCe:BTO膜は電荷注入に抵抗する良好な絶縁特性のため,ごく僅かなキャパシタンス-電圧ヒステリシス曲線を示した。それらの等価酸化物厚さは各々約4.05nmと4.35nmであった。いずれの膜も高い比誘電率(144.6と134.5)と低い誘電正接(0.10と0.08)を周波数100kHzで示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  セリウム化合物 ,  硝酸塩 ,  チタン化合物 ,  アルコラート ,  アルコール ,  *前駆体 ,  基板 ,  ケイ素 ,  スピンコーティング ,  *熱分解 ,  *焼なまし ,  *結晶化 ,  膜構造 ,  電気的性質 ,  パイロクロア型結晶 ,  容量電圧特性 ,  膜厚 ,  *誘電率 ,  誘電正接 ,  *誘電体薄膜 ,  エーテル ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： BTO【チタン酸塩】 ,  アニール ,  硝酸セリウム ,  硝酸ビスマス ,  等価酸化膜厚 ,  比誘電率

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

物質索引 (2件)： 2-メトキシエタノール ,  テトラブトキシチタン(IV)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属 ,  分解 ,  Ce ,  薄膜 ,  結晶化