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J-GLOBAL ID：201002241093811437   整理番号：10A1004481

Siナノ構造薄膜の作製とその光学特性

著者 (4件)： 安達定雄 (群馬大) ,  宮崎卓幸 (群馬大) ,  尾崎俊二 (群馬大) ,  中村俊博 (群馬大)
資料名： 群馬大学アドバンスト・テクノロジー高度研究センター年報  (Annual Report of GU-ATEC)
号： 14  ページ： 10-11  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： L6814A  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siナノワイヤー,ZnS:Mn²⁺薄膜の作製とAgInSe₂半導体の光学特性を報告した。HF/AgNO₃水溶液中でSiナノワイヤーを作製でき,ワイヤー長さは溶液組成や時間,温度の条件に依存したが,幅は数百nmだった。高濃度HFでは不均一なナノワイヤーを形成し,試料表面上に樹枝状のAg結晶が堆積したが,HNO₃処理で除去可能だった。スクリーン印刷法を用いてZnS:Mn²⁺薄膜による分散型電場発光素子を作製でき,He-Cdレーザー励起の光ルミネセンスと電場発光は共に約600nmにピークを有するオレンジ色発光を示した。これはZnS中のMn²⁺イオン(⁴T₁→⁶A₁)に起因する発光と示唆した。AgInSe₂半導体の単結晶成長に成功し,光学特性は入射光の偏光がE⊥cでは低温で2つの大きいピークと高エネルギー側で弱いピークを観察した。Eとcが平行では1つの大きなピークのみ観測し,これらのピークはAgInSe₂の基礎吸収端遷移に起因し,その出現は双極子遷移の選択則に律速されていることを示した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *化合物半導体 ,  マンガン ,  ドーピング ,  銀化合物 ,  インジウム化合物 ,  セレン化物 ,  表面構造 ,  *光ルミネセンス ,  *エレクトロルミネセンス ,  黄赤 ,  *薄膜 ,  ナノ構造

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ナノ構造 ,  薄膜 ,  作製 ,  光学特性