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J-GLOBAL ID：201002241105903820   整理番号：10A0212486

金属/有機中間層/無機半導体サンドイッチデバイスの電子的性質

Electronic properties of the metal/organic interlayer/inorganic semiconductor sandwich device

著者 (4件)： GUELLUE Oe. (Batman Univ., Fac. of Sciences and Arts, Dep. of Physics, Batman, TUR) ,  KILICOGLU T. (Batman Univ., Fac. of Sciences and Arts, Dep. of Physics, Batman, TUR) ,  KILICOGLU T. (Dicle Univ., Fac. of Sciences and Arts, Dep. of Physics, Diyarbakir, TUR) ,  TUERUET A. (Atatuerk Univ., Fac. of Sciences, Dep. of Physics, Erzurum, TUR)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 71  号： 3  ページ： 351-356  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,筆者らはp-Si半導体ウエハー上の有機膜をコーティングすることによって形成された金属(Al)/有機中間層(コンゴーレッド=CR)/無機半導体(p-Si)(MIS)ショットキーデバイスを準備した。Al/CR/p-Si MIS装置は良い整流挙動をもった。順方向バイアスI-V特性を使用することによって,Al/CR/p-Si MISデバイスに対する理想因子(n)と障壁高さ(Φ_b)の値が各々,1.68と0.77eVとして得られた。Al/CR/p-Si MISデバイスに対して計算された0.77eVのΦ_b値は従来のAl/p-Siショットキーデバイスの0.50eVの値よりも著しく高いことがわかった。Al/p-Siダイオードの界面ポテンシャル障壁の修正がCR有機材の薄い界面を使用することによって達成された。これは,CR有機中間層がSiの空間電荷領域に影響を及ぼすことによって有効障壁高さを増加させるという事実に帰された。界面-MISダイオードの状態密度は1.24×10¹³から2.44×10¹²eV^-1cm^-2まで変化することが発見された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *サンドイッチ構造 ,  *電子 ,  *有機半導体 ,  *半導体金属接合 ,  *Schottky障壁 ,  層 ,  *界面 ,  MIS構造 ,  *状態密度
準シソーラス用語： 中間層 ,  電子的性質

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中間層 ,  サンドイッチ ,  電子 ,  性質