電界放出への応用に向けたSiO<sub>x</sub>(Si)膜中の伝導チャンネル形成の新しい方法

SEMENENKO M.; EVTUKH A.; YILMAZOGLU O.; HARTNAGEL H. L.; PAVLIDIS D.

文献

J-GLOBAL ID：201002241152191901 整理番号：10A0093739

電界放出への応用に向けたSiO_x(Si)膜中の伝導チャンネル形成の新しい方法

A novel method to form conducting channels in SiO_x(Si) films for field emission application

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巻： 107 号： 1 ページ： 013702 発行年： 2010年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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SiO_x(Si)膜の電気性質および電界放出性質を調べる。40~100nm厚のSiO_x膜を,Si基板上へのプラズマ増強化学蒸着およびSi粉末の熱蒸着によって作製する。高電流密度で電気処理することにより,ナノサイズの伝導チャンネルをSiO_x(Si)膜中に形成する。伝導チャンネルをもつ構造は,蒸着したままのSiO_x(Si)膜に比べ,電界放出電流の増加としきい電圧の低下を示す。電界放出のしきい電圧の低下を局所的な電場の高化によって説明する。伝導チャンネルの直径は実効放出面積から1~2nmの範囲にあると見積もる。(翻訳著者抄録)

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