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J-GLOBAL ID：201002241303580670   整理番号：10A0908774

半極性InGaN緑色レーザダイオードのための高品質InGaN/AlGaN多重量子井戸

High Quality InGaN/AlGaN Multiple Quantum Wells for Semipolar InGaN Green Laser Diodes

著者 (11件)： LIN You-Da (Univ. California, CA, USA) ,  YAMAMOTO Shuichiro (Univ. California, CA, USA) ,  YAMAMOTO Shuichiro (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  HUANG Chia-Yen (Univ. California, CA, USA) ,  HSIUNG Chia-Lin (Univ. California, CA, USA) ,  WU Feng (Univ. California, CA, USA) ,  FUJITO Kenji (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  OHTA Hiroaki (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 8  ページ： 082001.1-082001.3  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/AlGaN多重量子井戸(MQW)構造の成長は,緑色レーザダイオード(LED)やレーザダイオード(LD)に対する高品質半極性(2021)活性領域を実現するために非常に効果的である。InGaNあるいはGaN障壁と比較して,AlGaN障壁を用いることで,放射の内部量子効率と均一性が著しく改善される。3周期構造InGaN/AlGaN MQW,およびGaNクラッディングとInGaN層からなるAlGaNクラッディングフリー光導波管を導入することによって,半極性(2021)GaN基板上において波長516nmのレーザ発振を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  半導体材料 ,  *半導体レーザ ,  量子効率 ,  被覆 ,  光導波路 ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： InGaN ,  AlGaN ,  *レーザダイオード ,  内部量子効率 ,  クラッディング ,  光導波管

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (21件)：

• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L74
• AVRAMESCU, A. Appl. Phys. Express. 2010, 3, 061003
• SPECK, J. S. MRS Bull. 2009, 34, 304
• OHTA, H. MRS Bull. 2009, 34, 324
• KELCHNER, K. M. Appl. Phys. Express. 2009, 2, 071003

タイトルに関連する用語 (7件)： 半極性 ,  InGaN ,  緑色レーザ ,  ダイオード ,  高品質 ,  AlGaN ,  多重量子井戸