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J-GLOBAL ID：201002241443473513   整理番号：10A0402460

NBTI回復効果に依存しない正確な追跡NBTI劣化監視装置

A Precise-Tracking NBTI-Degradation Monitor Independent of NBTI Recovery Effect

著者 (3件)： SANEYOSHI Eisuke (NEC, Kanagawa, JPN) ,  NOSE Koichi (NEC, Kanagawa, JPN) ,  MIZUNO Masayuki (NEC, Kanagawa, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2010  ページ： 252-254  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スケーリングは負バイアス温度不安定性(NBT)に関してトランジスタ劣化を加速する。二つの主な長所を持つオンチップ劣化監視装置を提案した。すなわち,小面積のリング発振器型監視装置と,測定時間の素早い遅延線型監視装置である。それは従来の劣化監視装置より10倍以上も速く測定し,遅延線監視装置の1/6の小面積であり,強力なV_dd雑音免除がある。

シソーラス用語： 付着 ,  不安定性 ,  信頼性 ,  *MOSFET ,  監視装置 ,  経時変化
準シソーラス用語： スケーリング【付着】 ,  負バイアス温度不安定性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： NBTI ,  回復 ,  追跡 ,  監視装置