文献

J-GLOBAL ID：201002241579686430   整理番号：10A0364603

酸素欠損による酸化タングステン膜の電気伝導性および光学吸収の制御

Control of Electrical Conduction and Optical Absorption of Tungsten-Oxide Films with Oxygen Deficiencies

著者 (3件)： SATO Ryuji (Japan Broadcasting Corp., Tokyo, JPN) ,  SUGIYAMA Masaaki (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  KUNUGI Yoshihito (Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 35  号： 1  ページ： 163-166  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非アルカリガラス基板上へのAr/O₂混合物を使ったW金属ターゲットからの反応性スパッタリング法により,WO₃膜および酸素欠損を有するWO₃膜を作製した。酸素欠損の密度は,O₂流量を制御することにより調節した。光学吸収および電気抵抗率は,それぞれ分光光度計および4プローブ法で測定した。化学組成は,XPSにより,また電子状態密度は,一般化勾配近似(GGA)を基に計算した。WO₃膜の化学量論,光学吸収および電気抵抗率は,O₂流量とスパッタリングパワーにより制御できることが分かった。酸素欠損を有する着色したWO₃膜の光学吸収は,300°Cでアニールすると増加した。空気中アニール後の電気抵抗率は,10^-2のオーダー低下した。

シソーラス用語： *酸化タングステン ,  *セラミック膜 ,  基板 ,  ガラス ,  点欠陥 ,  空格子点 ,  酸素 ,  *導電性 ,  *光吸収 ,  *反応性スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  蒸着膜 ,  流量 ,  焼なまし ,  *電気抵抗率 ,  電子状態 ,  状態密度 ,  密度汎関数法 ,  *酸素欠陥
準シソーラス用語： *アニール ,  *酸素欠損 ,  一般化勾配近似

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

引用文献 (6件)：

• R. Sato, N. Kawamura, and H. Tokumaru, Jpn.. J. Appl. Phys., 46, 3958-3964(2007).
• R. Sato, N. Kawamura, and H. Tokumaru, Appl. Surf. Sci., 254, 7676-7678(2008)
• G. A. de Wijs, and R. A. de Gnoot, Phys. Rev. B, 60, 16463-(1991).
• J. P. Perdew, K. Burke, and M. Emzerhof, Phys. Rev. Lett., 77, 3865-3868.
• M. Gillet, K. Aguir, C. Lemire, E. Gillet, and K. Schierbaum, Thin Solid Films, 467, 239-246(2004).

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸素欠損 ,  酸化タングステン ,  電気伝導性 ,  光学