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J-GLOBAL ID:201002241655838163   整理番号:10A0676756

低酸素圧のヘリウム下でSiCの高温酸化-パート2:CVD β-SiC

High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen. Part 2: CVD β-SiC
著者 (6件):
資料名:
巻: 30  号: 12  ページ: 2661-2670  発行年: 2010年09月 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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第四世代の国際フォーラムの枠組みの中で,ガス冷却式高速炉(GFR)はCEA(フランス)が研究する一つのシステムである。7MPaに加圧したヘリウムが冷却剤で,使用公称温度は1300Kである。現在考えられているクラッディング材料はβ-SiCでコーティングしたSiC/SiC複合材料である。事故の場合,反応炉の温度は1900~2300Kに達する。前の研究は能動的と受動的変化,典型的な事故を想定した能動的条件下での質量損失速度を比較するため,他の多形,α-SiCの物理的-化学的挙動を調べるために行った。化学気相成長(CVD)加工した多数のβ-SiC試料について高温(1400~2300K)で実験的酸化試験を行い,受動的と能動的酸化様式間の変化を求め,事故の場合(2300K以上の高温)に想定されるいくつかの条件でのこれら材料の酸化抵抗を調べることが可能な質量変化,SEM,XPS,AFM及び粗さ分析と結びつけた。最後に試験結果から,β-SiCはα-SiCに比べてより高温で受動的から能動的への変化が起こり,β-SiCの質量損失速度は調べた一般的温度範囲(~2100K)でα-SiCで測定したものより低かった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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原子炉の構成要素と原子炉材料一般  ,  セラミック・磁器の性質 

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