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J-GLOBAL ID：201002241706587187   整理番号：10A1486687

選択性MOVPEによる(113)Si基板におけるセミポーラ (11-22)GaNの成長

Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE

著者 (5件)： TANIKAWA T ,  HIKOSAKA T ,  HONDA Y ,  YAMAGUCHI M ,  SAWAKI N
資料名： PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9
巻： 5  号： 9  ページ： 2966-2968  発行年： 2008年 
JST資料番号： O5381A  ISSN： 1610-1634  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 選択性 ,  MOVPE ,  Si基板 ,  セミ ,  GaN ,  成長