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J-GLOBAL ID：201002241834163152   整理番号：10A0346513

分子ビームエピタクシーによるシリコン上に成長させたゲルマニウムリッチ島の構造性質とオプトエレクトロニク的特性

Structural and optoelectronic properties of germanium-rich islands grown on silicon using molecular beam epitaxy

著者 (6件)： NATARAJ L. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA) ,  SUSTERSIC N. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA) ,  COPPINGER M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA) ,  GERLEIN L. F. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA) ,  KOLODZEY J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA) ,  CLOUTIER S. G. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 12  ページ： 121911  発行年： 2010年03月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシーを用いてシリコン上に成長させた自己組織化ゲルマニウムリッチ島の構造とオプトエレクトロニク子的特性について報告した。ラマン,光電流,フォトルミネセンスおよび過度的光学分光測定から,島とシリコン間の顕著な内部歪みと相互混合がほとんどない良く定義された界面の存在が示唆された。これらの島の形状は成長条件に依存し,ピラミッド,ドーム,バーン形状,およびスーパードーム島などが含まれる。最も重要なことは,これらのゲルマニウムリッチ島が,相補的金属酸化物半導体に適合するプラットフォーム上の遠隔通信用波長での効率的な発光素子になり得ることである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  半導体薄膜 ,  *島状構造 ,  自己組織化 ,  光ルミネセンス ,  *CMOS構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  シリコン ,  成長 ,  ゲルマニウム ,  構造性質