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J-GLOBAL ID:201002241985206813   整理番号:10A1012538

高圧下のXC(X=Si,Ge,Sn)の電子,弾性,光学諸特性に対する第一原理研究

First-principles investigations on electronic, elastic and optical properties of XC (X=Si, Ge, and Sn) under high pressure
著者 (6件):
資料名:
巻: 108  号:ページ: 063531  発行年: 2010年09月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高圧下のXC(X=Si,Ge,Sn)の電子的,弾性的,光学的諸性質を,CASTEPコードに実装された平面波基底を用いた密度汎関数理論に基づいた第一原理計算によって調べた。その結果,これらの化合物の圧力誘起構造相転移は閃亜鉛鉱(B3)からNaCl型(B1)構造への順である事を示した。格子定数と遷移圧力の計算結果を報告した。結果は実験結果及び既報の理論データとよく一致した。弾性定数と異方性の圧力変化を示した。これらの結果からこの材料の極端環境下での技術的応用性を示唆した。B3-SnCとB1-SnCのDebye温度を初めて決定した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体結晶の電子構造 

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