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J-GLOBAL ID：201002242005035518   整理番号：10A0389646

高仕事関数Pt電極を用いた高移動度上面ゲートポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタ

High mobility top-gated poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors with high work-function Pt electrodes
著者 (9件)：
BAEG Kang-jun

BAEG Kang-jun について

(Heeger Center for Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. ...)

Heeger Center for Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. ... について

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BAEG Kang-jun

BAEG Kang-jun について

(Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...)

Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ... について

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KHIM Dongyoon

KHIM Dongyoon について

(Heeger Center for Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. ...)

Heeger Center for Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. ... について

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KIM Dong-yu

KIM Dong-yu について

(Heeger Center for Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. ...)

Heeger Center for Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. ... について

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KOO Jae Bon

KOO Jae Bon について

(Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...)

Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ... について

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YOU In-kyu

YOU In-kyu について

(Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...)

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CHOI Won San

CHOI Won San について

(Korea Basic Sci. Inst. (KBSI), 664-14 Dukjin dong 1-ga, Dukjin-gu, Jeonju, 561-756, KOR)

Korea Basic Sci. Inst. (KBSI), 664-14 Dukjin dong 1-ga, Dukjin-gu, Jeonju, 561-756, KOR について

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NOH Yong-young

NOH Yong-young について

(Dep. of Chemical Engineering, Hanbat National Univ., 16-1 Dukmyung-dong, Yuseong-gu, Daejeon, 305-719, KOR)

Dep. of Chemical Engineering, Hanbat National Univ., 16-1 Dukmyung-dong, Yuseong-gu, Daejeon, 305-719, KOR について

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NOH Yong-young

NOH Yong-young について

(Convergence Components & Materials Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), 161 Gajeong-dong ...)

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資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 518  号： 14  ページ： 4024-4029  発行年： 2010年05月03日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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レジオレギュラーポリ(3-ヘキシルチオフェン)(rr-P3HT)を用いた高性能の上面ゲート有機電界効果トランジスタ(OFET)について報告した。rr-P3HT薄膜の比較的低い接触抵抗と高い結晶性の故にrr-P3HT FETで高い電荷移動度(0.4cm2/Vs)が達成された。接触抵抗は主として電荷注入電極に高仕事関数の白金(Pt)(5.6eV)を用いることと,スタガードデバイス構造における電流クラウディングを介した電流注入の増強が可能な上面ゲート・下面接触構造を用いることで制御される。その上,上面ゲート配置は有機半導体上部のゲート誘電体とゲート電極の存在を介して環境条件においてデバイスの安定性を向上させる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ポリヘキシルチオフェン

ポリヘキシルチオフェン について

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分子配向

分子配向 について

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高分子薄膜

高分子薄膜 について

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有機半導体

有機半導体 について

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FET【トランジスタ】

FET【トランジスタ】 について

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導電性高分子

導電性高分子 について

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キャリア注入

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接触抵抗

接触抵抗 について

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キャリア移動度

キャリア移動度 について

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ゲート【半導体】

ゲート【半導体】 について

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白金電極

白金電極 について

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仕事関数

仕事関数 について

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相互コンダクタンス

相互コンダクタンス について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*有機電界効果トランジスタ

有機電界効果トランジスタ について


分類 (3件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  高分子固体の物理的性質 
(CG02024U)

高分子固体の物理的性質 について

,  有機化合物の薄膜 
(BK14070L)

有機化合物の薄膜 について

物質索引 (1件)：
物質索引
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3-ヘキシルチオフェン

3-ヘキシルチオフェン について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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仕事関数

仕事関数 について

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Pt

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高移動度

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ゲート

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3-ヘキシルチオフェン

3-ヘキシルチオフェン について

, 
電界効果トランジスタ

電界効果トランジスタ について


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