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J-GLOBAL ID：201002242055279523   整理番号：10A0823277

パルスレーザ堆積により(001),(110),及び(111)SrTiO₃基板上に作製したAgNbO₃の強誘電及び反強誘電特性

Ferroelectric and antiferroelectric properties of AgNbO₃ films fabricated on (001), (110), and (111)SrTiO₃ substrates by pulsed laser deposition

著者 (3件)： SAKURAI Hiroyuki (Dep. of Materials Chemistry, Ryukoku Univ., Seta, Otsu 520-2194, JPN) ,  YAMAZOE Seiji (Dep. of Materials Chemistry, Ryukoku Univ., Seta, Otsu 520-2194, JPN) ,  WADA Takahiro (Dep. of Materials Chemistry, Ryukoku Univ., Seta, Otsu 520-2194, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 4  ページ： 042901  発行年： 2010年07月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積により(001)SrTiO₃(STO),(110)STO,及び(111)STO基板上にそれぞれ001,110,及び111方位のAgNbO₃(AN)膜を作製した。走査電子顕微鏡像から,(001),(110),及び(111)STO基板上におけるAN膜の表面構造はそれぞれ格子形状パターン,縞状パターン,及び三角ピラミッド状構造であることが分かった。(001)STO上のAN膜はすべての膜で比誘電率は748と最大であった。P-Eヒステリシスから,(001)STO上のAN膜は反強誘電性を示し,(110)及び(111)STO上に堆積した他のAN膜は強誘電特性を示すことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *銀化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  レーザ蒸着 ,  *薄膜成長 ,  基板 ,  チタン酸ストロンチウム ,  結晶方位 ,  表面構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  誘電率 ,  誘電正接 ,  誘電分極 ,  ヒステリシス ,  *強誘電性 ,  反強誘電性 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 比誘電率

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルスレーザ堆積 ,  作製 ,  強誘電特性