文献

J-GLOBAL ID：201002242070798669   整理番号：10A0952289

多層絶縁体を使用する低電圧電気湿潤架台

Low voltage electrowetting-on-dielectric platform using multi-layer insulators

著者 (6件)： LIN Yan-you (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Duke Univ., Durham, NC 27708, USA) ,  EVANS Randall D. (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Duke Univ., Durham, NC 27708, USA) ,  WELCH Erin (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Duke Univ., Durham, NC 27708, USA) ,  HSU Bang-ning (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Duke Univ., Durham, NC 27708, USA) ,  MADISON Andrew C. (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Duke Univ., Durham, NC 27708, USA) ,  FAIR Richard B. (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Duke Univ., Durham, NC 27708, USA)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 150  号： 1  ページ： 465-470  発行年： 2010年09月21日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電圧,2水準金属,および多層絶縁体誘電体で電気湿潤(EWD)架台を提示した。140nl閉鎖オンチップ容器から300pl液滴の分配は,ほぼ11.4VのEWD力だけで達成され,アクチュエーション閾電圧は電極間の1Hz電圧変換速度で7.2Vであった。EWDデバイスを,スパッタ135nm五酸化タンタル(Ta₂O₅)および70nmのCYTOPで被覆した180nmパリレンCで構成された多層断熱材で作製した。その上最小アクチュエーション閾電圧は,以前発表した(t/ε(r))(1/2)に比例する閾電圧V_Tのためのスケーリングモデルに従った。そこではtとε(r)がそれぞれ絶縁体の厚さと誘電定数である。デバイス閾電圧を,絶縁体の各種厚さ(200nm,500nm,および1μm),異なる誘電材料(パリレンCと五酸化タンタル)ならびに均一組成対不均一組成について比較した。さらに,著者らは二準位金属製作工程を使用したが,これによれば高い相互接続ルーティング柔軟性があるより小型でより濃密電極の製作が可能であった。また30pl液滴によるスケール化デバイスのために,低ディスペンスかつアクチュエーション電圧を達成した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： スケール変数 ,  *スケーリング【計数】 ,  *絶縁材料 ,  *誘電材料 ,  二準位系 ,  相互接続 ,  誘電率 ,  *酸化タンタル ,  塩素化重合体 ,  *ポリキシリレン ,  導電性高分子 ,  超小形回路技術 ,  半導体チップ ,  *電気毛管現象 ,  液滴 ,  閾値 ,  電圧 ,  経路選定 ,  *絶縁体 ,  通信操作
準シソーラス用語： オンチップ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層 ,  絶縁体 ,  低電圧 ,  湿潤 ,  架台