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J-GLOBAL ID：201002242121947419   整理番号：10A1539302

O組成の異なるZnSe_1-xO_x層の分光偏光解析

Spectroscopic ellipsometric analysis of ZnSe_1-xO_x layers with different O compositions

著者 (5件)： UMA Kasimayan (Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, 32001 Taiwan, Republic of China) ,  CHEN Cheng-yu (Dep. of Optics and Photonics, National Central Univ., Jhongli, 32001 Taiwan, Republic of China) ,  CHAO Chih-kang (Inst. of Nuclear Energy Res., Atomic Energy Council, Executive Yuan, Longtan, 32546 Taiwan, Republic of China) ,  WU Chih-hung (Inst. of Nuclear Energy Res., Atomic Energy Council, Executive Yuan, Longtan, 32546 Taiwan, Republic of China) ,  CHYI Jen-inn (Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli, 32001 Taiwan, Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 10  ページ： 103113  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素含有率が最高7.0%のZnSe_1-xO_x層を,半絶縁性GaAs基板上に分子ビームエピタクシーにより300°Cで成長させることに成功した。蒸着したZnSe_1-xO_x膜をRaman分光法により特性化し,光学的性質を分光偏光解析法により調べた。分光偏光解析法で得られた複素誘電関数を1.5~5eVの光子領域で調べた。O含有率が増すとピークの特性が変化した。誘電関数の二次導関数を示し解析した。誘電関数スペクトルは,高エネルギーの光学遷移とバンドギャップに起因し得る明白な構造を明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *偏光解析法 ,  *セレン化亜鉛 ,  酸素 ,  酸化物 ,  MBE成長 ,  ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  薄膜成長 ,  Raman分光法 ,  誘電関数 ,  濃度依存性 ,  電子遷移 ,  複素誘電率 ,  *Ramanスペクトル ,  光ルミネセンス ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： *分光偏光解析法 ,  複素誘電関数 ,  光学遷移

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 組成 ,  分光偏光解析