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J-GLOBAL ID：201002242430550329   整理番号：10A0205145

次代を創る実装技術 第23回 半導体各社10年度パッケージ技術開発戦略

著者 (2件)： 村上元 (半導体新技術研究会) ,  村上元 (元天)
資料名： Semiconductor FPD World  (Semiconductor FPD World)
巻： 29  号： 3  ページ： 94-97  発行年： 2010年02月20日 
JST資料番号： Y0509B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代半導体パッケージに向けた各社の実装開発戦略について紹介した。ルネサス社のSiP技術は,アナログ素子のRF素子や各種センサ素子を集積する方向に向かう。LSI素子間の接合においては,狭ピッチで多様な形状に接合するループコントロールワイヤボンディング,各種フリップチップボンディング,微細金属粒子接続方法が使われる。NECエレクトロニクス社では,高い放熱特性が必要になったため,Cu板上にLSI素子を接着し,そのLSI素子の上にCu配線層を多段に重ねるSiダイレクト接続法(SIRRIUS)を開発した。DRAMはモジュール化,小型化が進んでいる。一方,フラッシュメモリは,高密度NAND型の実現のためチップの多段化が進むのに伴い,チップの厚みが18μmまで薄型化している。二本IBM社はCuめっきバンプを使ったC2と呼ぶフリップチップ接続法を開発した。

シソーラス用語： *ICパッケージ ,  LSI【IC】 ,  混成集積回路 ,  *ワイヤボンディング ,  *フリップチップ法 ,  DRAM ,  モジュール構造 ,  小型化 ,  *フラッシュメモリ ,  放熱器
準シソーラス用語： NANDフラッシュメモリ ,  SiP ,  薄型化

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  生産に関する一般問題  (NA01060I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 実装技術 ,  パッケージ ,  開発戦略