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J-GLOBAL ID:201002242480302830   整理番号:10A0847731

珪素中の窒素-空格子点-酸素欠陥の原子構造,形成エネルギー,振動特性の密度汎関数理論による研究

A density functional theory study of the atomic structure, formation energy, and vibrational properties of nitrogen-vacancy-oxygen defects in silicon
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巻: 108  号:ページ: 033513  発行年: 2010年08月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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窒素ドープした珪素結晶中の主要な固有窒素関連欠陥の原子構造,エネルギー,安定性,振動スペクトル,赤外吸収強度をab initio密度汎関数理論と半実験的量子力学法を用いて調べた。関心のある欠陥は窒素-空格子点-酸素欠陥複合体で,これは窒素ドープした珪素の酸素析出とボイド形成,及び窒素濃度測定に影響すると考えられる。窒素,Si空格子点,酸素格子間原子が関与する幾つかの化学反応を調べた。緩和後,各複合体の局所振動モードを調和振動子近似で計算し,赤外吸収強度を双極子モーメント導関数から評価した。欠陥の赤外活性線と安定性を相互相関させ,各複合体の対称群を考慮して,どの窒素関連複合体が酸素析出とボイド形成を制御しそうかを強調し,窒素ドープしたCzochralski及び浮遊融解珪素ウエハにおける窒素濃度測定に対する新しい較正関係を主張できた。(翻訳著者抄録)
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半導体の格子欠陥 

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