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J-GLOBAL ID：201002242497983432   整理番号：10A1124122

太陽光の下での改質Cu₂ZnSnS₄光電極上の水からのH₂の放出

H₂ Evolution from Water on Modified Cu₂ZnSnS₄ Photoelectrode under Solar Light

著者 (9件)： YOKOYAMA Daisuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MINEGISHI Tsutomu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  JIMBO Kazuo (Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata, JPN) ,  HISATOMI Takashi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MA Guijun (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KATAYAMA Masao (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KUBOTA Jun (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KATAGIRI Hironori (Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata, JPN) ,  DOMEN Kazunari (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 10  ページ： 101202.1-101202.3  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽光の下で水からH₂を放出させるための光電極として,Cu₂ZnSnS₄(CZTS)薄膜を調べた。Pt,CdS,およびTiO₂を用いた表面改質により,水からのH₂生成に対するCZTS薄膜電極の入射光子-電流変換効率が3桁増強され約40%(λ=600nm)となった。改質CZTSを用いたH₂生成の太陽エネルギー変換効率は1.2%に達した。我々の結果は,表面改質によってCZTSの光電気化学的特性が著しく改善されることを実証した。このことは,光電気化学的な水分離システムへの応用のための光電陰極として,CZTSを用いることが可能であることを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光電極 ,  *気体 ,  *水素 ,  太陽光 ,  *放出 ,  スズ化合物 ,  亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  銅化合物 ,  硫化物 ,  半導体薄膜 ,  表面改質 ,  効率 ,  太陽エネルギー ,  光電気化学 ,  光電陰極 ,  *水素ガス ,  変換効率 ,  硫化ケステライト
準シソーラス用語： CZTS

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

引用文献 (15件)：

• ITO, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1988, 27, 2094
• KATAGIRI, H. Thin Solid Films. 2009, 517, 2455
• KATAGIRI, H. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 041201
• TODOROV, T. K. Adv. Mater. 2010, 22, E156
• SCRAGG, J. J. Electrochem. Commun. 2008, 10, 639

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽光 ,  改質 ,  Cu2ZnSnS4 ,  光電極 ,  水 ,  H2 ,  放出