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J-GLOBAL ID：201002242561425031   整理番号：10A0677299

ゾル-ゲル法によりガラス基板上に堆積した透明半導体酸化亜鉛薄膜

Transparent semiconductor zinc oxide thin films deposited on glass substrates by sol-gel process

著者 (6件)： TSAY Chien-yie (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan) ,  FAN Kai-shiung (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan) ,  WANG Yu-wu (Graduate Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  CHANG Chi-jung (Dep. of Chemical Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan) ,  TSENG Yung-kuan (Dep. of Cultural Heritage Conservation, National Yunlin Univ. of Sci. & Technol., Yunlin 640, Taiwan) ,  LIN Chung-kwei (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 36  号： 6  ページ： 1791-1795  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明半導体ZnO薄膜を無アルカリガラス基板上にゾル-ゲル法によりスピンコートした。ZnOゾルを異なる溶媒(2-ME,EtOHまたはIPA)により合成し,得られた膜の表面形態,微細構造,光学的性質,膜抵抗に及ぼす影響を調べた。形成した塗膜を大気中で500°C,1時間加熱した。X線回折の結果は,全ての多結晶ZnO薄膜が(002)面に沿って配向することを示した。ゾル-ゲル法で製造したZnO薄膜の表面形態,光学的透過率,および抵抗値は使用した溶媒に依存した。IPAを溶媒として合成したZnO薄膜は高い平均透過率92.2%とRMS粗さ4.52nm,および抵抗値1.5×10⁵Ωcmを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  透明材料 ,  基板 ,  ガラス ,  *ゾル-ゲル法 ,  スピンコーティング ,  表面構造 ,  微細構造 ,  電気抵抗率 ,  光透過 ,  透過率 ,  溶媒効果 ,  光学ギャップ ,  表面粗さ ,  エーテル ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： アルカリフリーガラス ,  ガラス基板

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (4件)： 2-メトキシエタノール ,  イソプロパノール ,  エタノール ,  酢酸亜鉛

タイトルに関連する用語 (4件)： ゾル-ゲル法 ,  ガラス基板 ,  堆積 ,  酸化亜鉛薄膜