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J-GLOBAL ID：201002242581831290   整理番号：10A0083780

熱電化合物AgSbTe₂におけるSb₂Te₃析出物の界面欠陥構造

Interfacial defect structure at Sb₂Te₃ precipitates in the thermoelectric compound AgSbTe₂

著者 (2件)： MEDLIN D.l. (Sandia National Laboratories, Livermore, CA 94551, USA) ,  SUGAR J.d. (Sandia National Laboratories, Livermore, CA 94551, USA)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 62  号： 6  ページ： 379-382  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能電子顕微鏡を用いてテトラジマイト構造のSb₂Te₃と岩塩型のAgSbTe₂の間の界面での線欠陥を解析している。この欠陥のステップ高さとBurgerスベクトルを決定することにより,欠陥の運動が拡散的すべり構造を通して,岩塩構造からテトラジマイト構造に材料をどのように転移させるのかを示している。この欠陥の運動に原子の流束が必要なことを論じている。この解析は岩塩構造カルコゲナイド内のトリジマイト析出物の成長速度を説明するのに役立つ。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *熱電材料 ,  *相転移 ,  *析出 ,  *テルル化物 ,  *銀化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *析出物 ,  *格子欠陥 ,  界面
準シソーラス用語： *テルル化アンチモン ,  *テルル化銀アンチモン ,  *線欠陥

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： 析出物 ,  界面欠陥