文献

J-GLOBAL ID：201002242601407171   整理番号：10A0290942

GdドープCeO₂薄膜の面内イオン伝導率に及ぼす結晶粒界の存在の影響

Impact of the presence of grain boundaries on the in-plane ionic conductivity of thin film Gd-doped CeO₂

著者 (4件)： SWANSON Matthew (Dep. of Material Sci. and Engineering, Michigan Technological Univ., Houghton, MI 49931, USA) ,  TANGTRAKARN Natee (Dep. of Material Sci. and Engineering, Michigan Technological Univ., Houghton, MI 49931, USA) ,  SUNDER Madhana (Dep. of Material Sci. and Engineering, Michigan Technological Univ., Houghton, MI 49931, USA) ,  MORAN P.d. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Michigan Technological Univ., Houghton, MI 49931, USA)
資料名： Solid State Ionics  (Solid State Ionics)
巻： 181  号： 8-10  ページ： 379-385  発行年： 2010年03月29日 
JST資料番号： B0096B  ISSN： 0167-2738  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 文献の報告はサブミクロン結晶粒間の粒界の存在はGdドープCeO₂(GDC)膜[1-3]のイオン伝導率を劇的に増す可能性を有することを示すものと解釈されているが,単結晶GDC膜のイオン伝導率をサブミクロン粒界の存在を除いて理想的である膜と直接比較する研究の不足により明白な解釈が妨げられる。単結晶r面サファイア基板へ(10%)Gd₂O₃-(90%)CeO₂ターゲットからの高周波マグネトロンスパッタリングによりGDC膜を成長させる技術を開発した。さもなければたとえ大部分同じであっても,一方の膜は単結晶であり他の膜は粒径約80nmの結晶粒であることで異なる。これらの膜のイオン伝導率をVan der Pauw形状で400~700°Cの温度範囲で測定した。1/Tデータに対するln(σT)の解析は,単結晶及び多結晶GDC薄膜に関して,多結晶膜のイオン伝導の活性化エネルギーで観測される0.99±0.01eVより低い0.85±0.01eVを単結晶膜のイオン伝導の活性化エネルギーで示すことで主に異なることを示す。80nmの結晶粒の存在は400~700°Cの温度範囲でGdドープCeO₂のイオン伝導率を下げる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化セリウム ,  ドーピング ,  ガドリニウム化合物 ,  *薄膜 ,  *結晶粒界 ,  *イオン伝導 ,  *電気伝導率 ,  単結晶 ,  多結晶 ,  活性化エネルギー ,  固体酸化物燃料電池 ,  計測 ,  マグネトロンスパッタリング ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  固溶体 ,  酸化ガドリニウム
準シソーラス用語： van der Pauw法 ,  *GDC【化合物】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  燃料電池  (YB04040V) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Gd ,  ドープ ,  薄膜 ,  イオン伝導率 ,  結晶粒界