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J-GLOBAL ID:201002242622833413   整理番号:10A0240728

液滴エピタクシーによるGaAs(311)A面上のホール及びピラミッドから成る自己集合InGaAsタンデムナノ構造

Self-assembled InGaAs tandem nanostructures consisting of a hole and pyramid on GaAs (311)A by droplet epitaxy
著者 (6件):
資料名:
巻: 207  号:ページ: 348-353  発行年: 2010年02月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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自己集合タンデム(ピラミッド状ホール)InGaAsナノ構造をGaAs(311)面上に形成し,(100)面上のそれと比較した。同一の成長条件下で成長したナノ構造は特徴的に異なった形状であった。すなわち,GaAs(100)上ではリング状,(311)A上ではピラミッド状ホールであった。これらのナノ構造形成メカニズムは,混合,GaAs基板の溶解及び表面再構成によって駆動される表面拡散などを考慮することで理解できた。ナノ構造のサイズと密度は液滴サイズ,密度,及びナノ構造形成中の液滴及びナノ構造に加える熱エネルギーによって制御できた。これらのユニークなナノ構造はオプトエレクトロニクス分野で有望な応用が期待される。
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体の表面構造 

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