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J-GLOBAL ID：201002242700914573   整理番号：10A0714243

LiAlO₂(100)基板上の青および緑色非極性InGaN/GaN多重量子井戸発光ダイオードの作製

Fabrication of blue and green non-polar InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes on LiAlO₂(100) substrates

著者 (11件)： LIU Bin (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  HAN Ping (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  XIE Zili (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHANG Rong (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  LIU Chengxiang (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  XIU Xiangqian (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  HUA Xuemei (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  LU Hai (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  CHEN Peng (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHENG Youdou (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHOU Shengming (Shanghai Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 6  ページ： 1404-1406  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDにより非極性m面InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)構造を成長させ,LiAlO₂(100)基板上に青および緑色発光ダイオード(LED)を作製した。LED構造は,GaNのPN接合および5つのMQWからなるものとした。MQWの活性層であるInGaNのインジウム濃度を変えて,青および緑色のそれぞれを発光させた。青色LEDとしては800×800μm²のデバイスを作製し,注入電流200mAで出力3mWを達成した。青および緑色とも,エレクトロルミネセンスのピーク波長は一定以上の注入電流に対しほぼ飽和した。これにより,c面構造に存在する活性領域には分極場が存在しないと結論した。また,非極性LEDの閾値電流は,市販のc面GaNを用いたLEDのものより高いことが注目された。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *発光ダイオード ,  緑 ,  アルミン酸塩 ,  リチウム化合物 ,  多重量子井戸 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  エレクトロルミネセンス ,  X線回折 ,  *非極性 ,  可視発光スペクトル
準シソーラス用語： アルミン酸リチウム ,  青色LED ,  *窒化ガリウムインジウム ,  閾値電流

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 青 ,  緑色 ,  非極性 ,  InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  発光ダイオード ,  作製