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J-GLOBAL ID：201002242753186685   整理番号：10A0254358

円筒状ナノワイヤのバリスティック電流電圧特性用の簡易モデル

Simplified model for ballistic current-voltage characteristic in cylindrical nanowires

著者 (5件)： KURNIAWAN Oka (Inst. of High Performance Computing, Singapore 138632, SGP) ,  NG Man-fai (Inst. of High Performance Computing, Singapore 138632, SGP) ,  KOH Wee Shing (Inst. of High Performance Computing, Singapore 138632, SGP) ,  LEONG Zuan Yi (Inst. of High Performance Computing, Singapore 138632, SGP) ,  LI Erping (Inst. of High Performance Computing, Singapore 138632, SGP)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 41  号： 2-3  ページ： 155-161  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バリスティック領域は電子素子性能の上限を与える。本稿では,非平衡Green関数のフレームワークで円筒状ナノワイヤの電流電圧特性を計算する高速で効率的なモデルを提案した。ある仮定下で,計算を一次元問題に簡易化し,半径方向閉じ込めによるモードを解析方程式で求めた。筆者等はさらに0Kに近い温度での電流電圧特性の解析式を導いた。この方程式でナノワイヤの半径と電流間の関係を明確に示した。電流電圧特性曲線に対する半径の影響も調べた。さらに,筆者等は数値計算結果と筆者等の解析モデルの両方で予測されたように,半径が増加したときの飽和電流の傾向をプロットした。筆者等の提案したモデルをさらに使って,ナノスケールオプトエレクトロニクス素子中の電子-フォトン相互作用を含めることができる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バリスティック輸送 ,  モデル ,  *ナノワイヤ ,  Green関数 ,  *電流電圧特性 ,  閉込め ,  半径方向 ,  *オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： *簡易モデル ,  飽和電流

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノワイヤ ,  バリ ,  スティック ,  電流電圧特性 ,  簡易モデル