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J-GLOBAL ID：201002242861510537   整理番号：10A1486466

パターン化したSi基板上の半極性(1-101)と(11-22)InGaN/GaN発光ダイオードの製造と性質

Fabrication and properties of semi-polar (1-101) and (11-22) InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates

著者 (5件)： HIKOSAKA T ,  TANIKAWA T ,  HONDA Y ,  YAMAGUCHI M ,  SAWAKI N
資料名： PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6
巻： 5  号： 6  ページ： 2234-2237  発行年： 2008年 
JST資料番号： O5379A  ISSN： 1610-1634  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  半極性 ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード ,  性質