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J-GLOBAL ID：201002243075949378   整理番号：10A0704742

InP(001)に格子整合したAlGaInAs格子上の低密度InAs量子ドットの設計および実現

Design and realization of low density InAs quantum dots on AlGaInAs lattice matched to InP(001)

著者 (8件)： ENZMANN Roland (Walter Schottky Inst. ¹ 1URL: http://www.wsi.tum.de. , Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3 ...) ,  BAREISS Mario (Walter Schottky Inst. ¹ 1URL: http://www.wsi.tum.de. , Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3 ...) ,  BAIERL Daniela (Walter Schottky Inst. ¹ 1URL: http://www.wsi.tum.de. , Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3 ...) ,  HAUKE Norman (Walter Schottky Inst. ¹ 1URL: http://www.wsi.tum.de. , Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3 ...) ,  BOEHM Gerhard (Walter Schottky Inst. ¹ 1URL: http://www.wsi.tum.de. , Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3 ...) ,  MEYER Ralf (Walter Schottky Inst. ¹ 1URL: http://www.wsi.tum.de. , Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3 ...) ,  FINLEY Jonathan (Walter Schottky Inst. ¹ 1URL: http://www.wsi.tum.de. , Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3 ...) ,  AMANN Markus-christian (Walter Schottky Inst. ¹ 1URL: http://www.wsi.tum.de. , Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3 ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 16-17  ページ： 2300-2304  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE成長を用いて,InP(001)基板に整合したAl_xGa_yIn_1-x-yAs格子上にInAsナノ構造を作製した。この材料系では,典型的には,非常に伸張した量子ダッシュ状構造が生じた。これは,[1-10]および[110]方向に沿っての大きく非等方的なマイグレーション長によるものであった。[110]方向に沿っての短いマイグレーション長を増加させるため,1秒間に3×10^-3単一層というきわめて遅い成長速度を採用した。これにより,通常形成される量子ダッシュ構造ではなく,表面密度の低いInAs量子ドットの形成を試みた。量子ドットの発光波長を調整するため,以下の三つの方法を検討した。(1)ガリウムに対するアルミニウムの比を調整して周辺材料のバンドギャップを変化させる,(2)アンチモンを導入して量子ドット材料のバンドギャップを変化させる,(3)二つの量子ドットを互いに近接させて積層し,量子ドットの高さを変化させる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  密度 ,  格子整合 ,  *リン化インジウム ,  *MBE成長 ,  ナノ構造 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  異方性 ,  結晶方位 ,  成長速度 ,  光学ギャップ ,  量子サイズ効果 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  ヒ化物 ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  気相成長 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： *低密度 ,  AlGaInAs

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： InP ,  格子整合 ,  AlGaInAs ,  格子 ,  低密度 ,  InAs量子ドット ,  設計