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J-GLOBAL ID：201002243111372503   整理番号：10A1150561

故障を予測するための信頼性技術の最前線 SiCパワーデバイス・モジュールの実装課題

著者 (1件)： 宮代文夫 (よこはま高度実装技術コンソーシアム)
資料名： エレクトロニクス実装学会誌  (Journal of Japan Institute of Electronics Packaging)
巻： 13  号： 7  ページ： 507-510  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： S0579C  ISSN： 1343-9677  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC素子はSi素子に比べ物理定数の差に起因する有利な特徴を持っており,将来の大発展を約束されている。Si°Cの物性値はSiと異なるため,Siデバイスに比べ同一出力を得る場合でも,1)チップ面積は小さい,2)チップの厚さも薄い,3)Tj(ジャンクション温度)は高く設定(200~300°C)できる,というのがSiデバイスとの大きな差である。実装の課題を列挙すると次のようになる。1)SiCのTjを何度に設定するかが大きな課題である。2)SiCデバイスの「基本構造」をどうするか。3)SiCインバータ・モジュールの「基本実装」の構成をどうするか。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *信頼性 ,  *絶縁耐力 ,  *インバータ ,  *ウエハ【IC】 ,  格子欠陥 ,  パワーエレクトロニクス ,  物理定数 ,  エピタクシー ,  構造設計

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 故障 ,  予測 ,  SiCパワーデバイス ,  モジュール ,  実装