パターン形成InP(100)および(311)B基板上における自己組織化異方性歪みエンジニアリングによる秩序化1次元および2次元InAs/InP量子ドットアレイの発展

SRITIRAWISARN N.; WERA J.l.e.; VAN OTTEN F.w.m.; NOETZEL R.

文献

J-GLOBAL ID：201002243128309163 整理番号：10A0581448

パターン形成InP(100)および(311)B基板上における自己組織化異方性歪みエンジニアリングによる秩序化1次元および2次元InAs/InP量子ドットアレイの発展

Evolution of ordered one-dimensional and two-dimensional InAs/InP quantum dot arrays on patterned InP (100) and (311)B substrates by self-organized anisotropic strain engineering

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0581448&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0581448&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 312 号： 15 ページ： 2185-2189 発行年： 2010年07月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

自己組織化異方性歪みエンジニアリングのコンセプトに基づいて,パターン形成InP(100)および(311)B基板上に秩序化1次元および2次元InAs/InP量子ドット(QD)アレイを化学ビームエピタクシー(CBE)により形成した。浅いまたは深いストライプパターンを形成したInP(100)基板上では,ストライプの方位に依存して,直線的な1次元InAs QDアレイはそれらの自然な方位から回転していた。これは微傾斜したステップ状側壁面の存在によって自己組織化過程が変わるためである。深いストライプパターンを形成した基板ではQDの存在しない急峻な側壁ファセットが共存した。浅いまたは深いパターンを形成したInP(311)B基板上では,平坦な上部および下部領域とともにQDの存在しない側壁ファセットのみが形成され,2次元InAs QDアレイの自然秩序化には影響しなかった。深いパターンを形成した基板上では,成長挙動が遅いために側壁ファセットに沿った頂上に高密度QD列が形成された。パターン形成基板上のQDアレイの光学的性質(光ルミネセンス)は,平坦なInP(100)および(311)B基板上に形成されたQDアレイのそれに比べ劣化しなかった。このことは,ステップエンジニアリングと組み合わせた自己組織化異方性歪みエンジニアリングが,先端的で複雑なQDアレイやQDネットワークの創生に有望であることを示している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

, , , , , , , , , , , , , , , , , ,

半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

, , , , , , , , , , ,

前のページに戻る