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J-GLOBAL ID：201002243132665101   整理番号：10A1126390

簡単で堅牢な小型高性能パワーモジュールT-PM(トランスファモールドパワーモジュール)

Simple, Compact, Robust and High-performance Power module T-PM (<span style=text-decoration:overline>T_</span>ransfer-molded <span style=text-decoration:overline>P_</span>owr <span style=text-decoration:overline>M_</span>odule)

著者 (6件)： UEDA Tetsuya (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  YOSHIMATSU Naoki (Fukuryo Semiconductor Engineering Corp., Fukuoka, JPN) ,  KIMOTO Nobuyoshi (Fukuryo Semiconductor Engineering Corp., Fukuoka, JPN) ,  NAKAJIMA Dai (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KIKUCHI Masao (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SHINOHARA Toshiaki (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 22nd  ページ： 37-40  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リードを直接チップに半田付けする直接リードボンデイング(DLB)技術と新しく開発した熱伝導性電気絶縁層(TCIL)を用いた,簡単で堅牢な小型高性能パワーモジュールT-PMを開発した。ケース型モジュールの内部接続信頼性と比較して,開発したT-PMは,ΔT_j=100°Cの電力サイクル試験で10倍以上の長寿命と-40°Cから150°Cの熱サイクル試験で7000サイクル以上であることを示した。熱能力に関しては,そのT-PMは,2熱伝導度TCILを用いることにより,チップ表面と冷却水間の低熱抵抗(θ_j-w)を得ることに成功した。さらに,開発したT-PMは,パッケージ内部抵抗とインダクタンスパラメータを50%低減した。最後に,数値シミュレーション結果から,DLB技術は,全内部チップ表面間で温度と電流分布を均一に保つのに効果的であることを明瞭に示した。DLBとTCIL技術のこれらの特性により,このT-PMは省エネルギー用の非常に効果的方法の一つであると考える。

シソーラス用語： *移送成形 ,  *回路モジュール ,  *パワーエレクトロニクス ,  ボンディング【IC】 ,  サイクル寿命 ,  *熱伝導 ,  *電気絶縁 ,  シミュレーション ,  数値解析 ,  半導体チップ ,  温度分布 ,  電流分布 ,  熱抵抗 ,  *信頼性 ,  リード線 ,  熱サイクル
準シソーラス用語： パワーモジュール

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  パワーモジュール ,  Pm