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J-GLOBAL ID：201002243303032960   整理番号：10A0933120

テルビウムがドープされた非晶室広バンドギャップ半導体(SiC)_1-x(AlN)_xとその光学発光特性のバンドギャップ工学

Bandgap engineering of the amorphous wide bandgap semiconductor (SiC)_1-x (AlN) _x doped with terbium and its optical emission properties

著者 (9件)： WEINGAERTNER R. (Departamento de Ciencias, Seccion Fisica, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Av. Universitaria 1801, Apartado ...) ,  WEINGAERTNER R. (Dep. of Materials Sci. 6, Univ. of Erlangen, Martensstrasse 7, 91058 Erlangen, DEU) ,  GUERRA TORRES J.a. (Departamento de Ciencias, Seccion Fisica, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Av. Universitaria 1801, Apartado ...) ,  ERLENBACH O. (Departamento de Ciencias, Seccion Fisica, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Av. Universitaria 1801, Apartado ...) ,  ERLENBACH O. (Dep. of Materials Sci. 6, Univ. of Erlangen, Martensstrasse 7, 91058 Erlangen, DEU) ,  GALVEZ DE LA PUENTE G. (Departamento de Ciencias, Seccion Fisica, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Av. Universitaria 1801, Apartado ...) ,  GALVEZ DE LA PUENTE G. (Dep. of Materials Sci. 6, Univ. of Erlangen, Martensstrasse 7, 91058 Erlangen, DEU) ,  DE ZELA F. (Departamento de Ciencias, Seccion Fisica, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Av. Universitaria 1801, Apartado ...) ,  WINNACKER A. (Dep. of Materials Sci. 6, Univ. of Erlangen, Martensstrasse 7, 91058 Erlangen, DEU)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 174  号： 1-3  ページ： 114-118  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルビウムがドーピングされた擬2元化合物(SiC)_1-x(AlN)_xの非晶室広バンドギャップ半導体薄膜が,CaF₂とガラス基板上に試行的なrfマグネトロンスパッタリングにより成長させられた。組成xの依存性における膜の光学バンドギャップが,(αhν)²対エネルギープロットとTaucプロットを使用する透過測定から求められた。バンドギャップは,x=0(SiC):2.2eVからx =0.94 (ほぼ純 AlN):0.94eVに変動し,ボウイング定数(3.18±1.01)eVを用いるVegard則で説明可能である。カソード発光測定は,典型的なテルビウム放出パターンを示している。300°C~1150°Cまでの等時間隔的アニーリングによる薄膜の熱活性化は,1100°Cの最適アニール温度で放出の強い増加につながる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 非晶質 ,  *半導体薄膜 ,  *テルビウム ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  フッ化カルシウム ,  基板 ,  電気装置部品 ,  光学ギャップ ,  *バンドギャップ ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： アモルファス ,  *発光特性 ,  ガラス基板 ,  光学バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： テルビウム ,  ドープ ,  バンドギャップ ,  SiC ,  AlN ,  光学 ,  発光特性 ,  工学