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J-GLOBAL ID：201002243342494075   整理番号：10A0714250

AlN薄膜におけるポリタイプ性の理論的研究

Theoretical investigations of polytypism in AlN thin films

著者 (5件)： ITO Tomonori (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  ITO Takumi (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  AMMI Daisuke (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  AKIYAMA Toru (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  NAKAMURA Kohji (Mie Univ., Tsu, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 6  ページ： 1431-1434  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(001)上の2H-AlN(0001)の形成の微視的機構を理論的に研究した。非経験的擬ポテンシャル,経験的原子間ポテンシャル,およびモンテカルロシミュレーションを用いた。バルクではポリタイプは存在せず,2H-AlNが安定であった。これは,3C,6H,および4Hに比較してエネルギー的に圧倒的に有利なためであった。Si(001)上でのAlN薄膜は,厚さ4単分子層(ML)以下では3Cであり,2つの不整合転位を有する(0001)配向2Hを経由して,2345ML以上では5°傾斜した(0001)配向2Hへと構造変化した。これにより,格子不整合が準安定の3C-AlN(001)を不安定化させ,異なった配向を有する安定な2H-AlNを出現させることが分かった。4H-AlNはAlリッチ条件下で4H-SiC(11-20)上に安定に形成され,他方2H-AlNはNリッチ条件下で形成されると推定した。以上のように,格子不整合と成長条件がAlN薄膜でのポリタイプに大きく影響した。

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *ポリタイプ ,  *計算機シミュレーション ,  擬ポテンシャル法 ,  原子間ポテンシャル ,  モンテカルロ法 ,  不整合転位 ,  結晶方位 ,  結晶面 ,  格子不整合 ,  吸着 ,  炭化ケイ素 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 4H-SiC

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  薄膜 ,  ポリタイプ性 ,  理論 ,  研究