文献

J-GLOBAL ID：201002243357912035   整理番号：10A0796736

3Dチップパッケージ内の信号伝搬と電力供給における金属-絶縁膜-半導体(MIS)構造のスルーシリコンビア(TSV)の遅波および誘電体準TEMモード

Slow Wave and Dielectric Quasi-TEM Modes of Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) Structure Through Silicon Via (TSV) in Signal Propagation and Power Delivery in 3D Chip Paekage

著者 (7件)： PAK Jun So (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  CHO Jonghyun (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  KIM Joohee (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR) ,  LEE Junho (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  LEE Hyungdong (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  PARK Kunwoo (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  KIM Joungho (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol. (KAIST), Daejeon, KOR)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.1  ページ： 667-672  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チップをスタックした三次元構造にはボンディングワイア法,フリップチップ法が用いられているが,電気特性の向上と集積化の向上を図るため,スルーシリコンビア(TSV)によるスタックの研究が進められている。TSVはほぼ無制限なI/O配線数,低遅延という利点があるが,MIS構造であるため,信号伝搬と電力供給に遅波と誘電体準TEMモードのような影響がある。MIS TSVモデルを提案し,この影響を数値計算した結果と測定結果とから解析した。MIS TSVはオンチップ金属配線に較べ,表面積が大きいこと,長さが長いこと,絶縁膜が薄いことにより,遅波と誘電体準TEMモードが電気特性におよぼす影響はより強い。測定値と三次元全波シミュレーションに基づく形状変数を有するMIS TSVモデルを求め,2つの遅波と誘電体準TEMモードがMIS TSVの電気特性に与える影響を信号伝搬と電力供給の面から解析した。

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *バイアホール ,  *ケイ素 ,  誘電体 ,  *ICパッケージ ,  信号伝送 ,  電力供給 ,  *遅波回路
準シソーラス用語： *スルーシリコンビア

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (11件)： 3D ,  パッケージ ,  信号伝搬 ,  電力供給 ,  絶縁膜 ,  MIS ,  スルーシリコンビア ,  TSV ,  遅波 ,  誘電体 ,  TEMモード