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J-GLOBAL ID：201002243368844597   整理番号：10A0949994

アルカリウェットエッチング用レジストの評価と応用

Evaluation and Application of Resist for Alkaline Wet Etching

著者 (4件)： 高橋智一 (東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻) ,  巻幡光俊 (東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻) ,  江刺正喜 (東北大学原子分子材料科学高等研究機構) ,  田中秀治 (東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 130  号： 9  ページ： 421-425 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Brewer Science社のアルカリウェットエッチング用ネガ型感光性レジストProTEK PSBと,非感光性レジストProtek B3について,デバイスのパターン形成での性能を評価し,検討した。PSBでは,4μmのラインアンドスペースを形成できるが,プライマ剥離にHFが要ることなどの問題点を指摘した。また,B3塗布のSi基板を水酸化テトラメチルアンモニウムに浸漬すると,サイドエッチングによりウェハ端面が剥離すると述べた。LSI/MEMS型の触覚センサ作製へのPSBの適用を検討し,プラズマCVDや高周波マグネトロンスパッタで堆積した低温酸化膜の使用でサイドエッチングを低減できると述べた。

シソーラス用語： *エッチング ,  *レジスト ,  回路パターン形成 ,  触覚センサ ,  MEMS ,  フォトレジスト ,  性能評価 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： ネガティブ型レジスト ,  感光性レジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (3件)：

• US Patent 20080261145 A1. 2008
• DALVI-MALHOTRA, J. A spin-on photosensitive polymeric etch protection mask for aniotropic wet etching of silicon. J. Micromech. Microeng. 2008, 18, 2
• 巻幡光俊. ネットワーク型触覚センサのウェハレベル集積化・パッケージング技術. 応用物理学会集積化MEMSシンポジウム2009, 東京, 2009-10. 2009, 19-23

タイトルに関連する用語 (5件)： アルカリ ,  ウェットエッチング ,  レジスト ,  評価 ,  応用