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J-GLOBAL ID：201002243370604463   整理番号：10A0322108

非ドープInGaAs/AlAsSb結合二重量子井戸へのシリコンイオン注入を通じたサブバンド間吸収と量子井戸混合の同時発生

Simultaneous generation of intersubband absorption and quantum well intermixing through silicon ion implantation in undoped InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells

著者 (6件)： CONG G. W. (Network Photonics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST Tsukuba Central ...) ,  AKIMOTO R. (Network Photonics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST Tsukuba Central ...) ,  GOZU S. (Network Photonics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST Tsukuba Central ...) ,  MOZUME T. (Network Photonics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST Tsukuba Central ...) ,  HASAMA T. (Network Photonics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST Tsukuba Central ...) ,  ISHIKAWA H. (Network Photonics Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST Tsukuba Central ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 10  ページ： 101901  発行年： 2010年03月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンイオン注入と急速熱焼なましによる非ドープInGaAs/AlAsSb結合二重量子井戸のサブバンド間吸収を実証した。1×10¹⁴cm^-2の注入線量では,600°Cで1分間焼なました試料の実際のキャリア密度は約7.5×10¹³cm^-2(約75%の活性化効率)であり,活性化エネルギーは約1.41eVであった。同時生成した量子井戸混合(QWI)はシリコンイオン分布により不均一であった。サブバンド間とバンド間遷移両方へのQWI不均一性の影響を8バンドkp計算によって説明した。本研究はサブバンド間遷移ベース高速全光スイッチのモノリシック集積に一つの道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ドーピング ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *多重量子井戸 ,  ケイ素 ,  *イオン注入 ,  *電子遷移 ,  吸収 ,  混合 ,  同時発生 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *アンチモン化物 ,  RTA【熱処理】 ,  放射線量 ,  キャリア密度 ,  活性化エネルギー ,  不均一性 ,  光スイッチ ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： イオン分布 ,  *サブバンド間遷移 ,  バンド間遷移 ,  モノリシック集積回路 ,  *二重量子井戸 ,  線量 ,  全光スイッチ

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドープ ,  InGaAs ,  二重量子井戸 ,  シリコン ,  イオン注入 ,  サブバンド間吸収 ,  量子井戸 ,  同時発生