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J-GLOBAL ID：201002243444442886   整理番号：10A1066061

アナログデバイス応用のための二層InZnO-InGaZnO薄膜トランジスタの低周波雑音性能

Low-Frequency Noise Performance of a Bilayer InZnO-InGaZnO Thin-Film Transistor for Analog Device Applications

著者 (7件)： JEON Sanghun (Samsung Electronics Corp., Gyeonggi, KOR) ,  KIM Sun Il (Samsung Electronics Corp., Gyeonggi, KOR) ,  PARK Sungho (Daejin Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  SONG Ihun (Samsung Electronics Corp., Gyeonggi, KOR) ,  PARK Jaechul (Samsung Electronics Corp., Gyeonggi, KOR) ,  KIM Sangwook (Samsung Electronics Corp., Gyeonggi, KOR) ,  KIM Changjung (Samsung Electronics Corp., Gyeonggi, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 10  ページ： 1128-1130  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層InGaZnOおよび二層InZnO-InGaZnO酸化物半導体薄膜トランジスタ(TFT)の低周波雑音挙動に関して,比較による調査を行った。SiO₂ゲート二層酸化物TFTの規格化電流雑音スペクトル密度は,主に界面InZnO層の高移動度により,単層酸化物デバイスの3分の1であった。両デバイスとも,キャリア数のゆらぎが支配的雑音機構であると分かった。縮尺ゲート長の酸化物TFT用に二層酸化物を用いるという考えは,低周波雑音の低減に有効である。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *低周波雑音 ,  *化合物半導体 ,  多層膜 ,  スペクトル密度 ,  雑音 ,  ゆらぎ
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  トラップ【固体】 ,  酸化物半導体 ,  電流雑音 ,  二層膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： アナログ ,  応用 ,  二層 ,  トランジスタ ,  低周波 ,  雑音性能