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J-GLOBAL ID：201002243521973679   整理番号：10A0177972

超高速法によるGaMnAsのキャリアおよび磁化の動力学

Ultrafast studies of carrier and magnetization dynamics in GaMnAs

著者 (6件)： ZAHN J. P. (Dep. of Physics and Atmospheric Sci., Dalhousie Univ., Halifax, Nova Scotia B3H1Z9, CAN) ,  GAMOURAS A. (Dep. of Physics and Atmospheric Sci., Dalhousie Univ., Halifax, Nova Scotia B3H1Z9, CAN) ,  MARCH S. (Dep. of Physics and Atmospheric Sci., Dalhousie Univ., Halifax, Nova Scotia B3H1Z9, CAN) ,  LIU X. (Dep. of Physics, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  FURDYNA J. K. (Dep. of Physics, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA) ,  HALL K. C. (Dep. of Physics and Atmospheric Sci., Dalhousie Univ., Halifax, Nova Scotia B3H1Z9, CAN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 3  ページ： 033908  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直磁気異方性をもつGaMnAsのキャリアおよび磁化の動力学を,時間分解ポンプ法を用いて調べた。2桁以上に渡ってポンピング光の大きさを変えて実験した結果,1mJ/cm⁴⁵以上で飽和するという超高速消磁応答を得た。二色漂白の結果はポンプ光の円偏向状態に依存せず,他のIII-Mn-V半導体と異なり電子スピンの運動は寄与していないことを示している。また,強い消磁効果にも拘らず,瞬時にホールスピン分極が失われる証拠はなかった。微分反射率測定の実験では,電子のトラップ時間は1psであり,その後数ナノ秒の時間スケールでキャリアの再結合が認められた。観測された消磁は完全ではなく,平衡状態の飽和磁化の80%に過ぎなかった。これはGaMnAsのバンド端吸収の光学飽和によるものと考えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *垂直磁気異方性 ,  ヒ化物 ,  *マンガン化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *磁性半導体 ,  計測 ,  *キャリア ,  *磁化 ,  *動力学 ,  反射率
準シソーラス用語： 時間分解法

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (2件)： キャリア ,  磁化の動力学