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J-GLOBAL ID：201002243592566489   整理番号：10A0368491

GaAs-Al_xIn_1-xPコア-シェル・ナノワイヤの成長と偏析

Growth and segregation of GaAs-Al _x In_1-x P core-shell nanowires

著者 (4件)： WAGNER Jakob B. (Polymer and Materials Chemistry/nCHREM, Lund Univ., Box 124, Lund S-211 00, SWE) ,  SKOELD Niklas (Solid State Physics, Lund Univ., Box 118, Lund S-211 00, SWE) ,  REINE WALLENBERG L. (Polymer and Materials Chemistry/nCHREM, Lund Univ., Box 124, Lund S-211 00, SWE) ,  SAMUELSON Lars (Solid State Physics, Lund Univ., Box 118, Lund S-211 00, SWE)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 10  ページ： 1755-1760  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [-1-1-1]方向にエピタキシャル成長したGaAsナノワイヤの周りのAl_xIn_1-xPシェルの成長を調べた。Al_xIn_1-xPシェルのモルフォロジーと組成は断面透過電子顕微鏡法により調べた。シェル側壁ファセットは,GaAsコアの側壁ファセット({11-2}面)とは関連のない{1-10}マクロファセットが優先的に発達し,幅の狭い(約5nm){11-2}ファセットを伴っていた。コアの{11-2}ファセットからAl_xIn_1-xPシェルが成長するにつれて側方へAl,Inが偏析し,シェルの残りの部分({1-10}ファセット形成領域)の組成はAl_0.5In_0.5Pとなった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *リン化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  多層構造 ,  *ナノワイヤ ,  *ヘテロエピタクシー ,  MOCVD ,  結晶形態 ,  ファセット ,  偏析 ,  化学組成 ,  電子顕微鏡観察 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： *リン化アルミニウムインジウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  偏析