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J-GLOBAL ID：201002243649251668   整理番号：10A0894256

単層カーボンナノホーン中の穴形成に対する酸素と過酸化水素を用いた二重酸化

Double oxidation with oxygen and hydrogen peroxide for hole-forming in single wall carbon nanohorns

著者 (7件)： XU Jianxun (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  XU Jianxun (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  ZHANG Minfang (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  NAKAMURA Maki (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  IIJIMA Sumio (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  IIJIMA Sumio (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  YUDASAKA Masako (National Inst. Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 100  号： 2  ページ： 379-383  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空気中緩慢酸化によって通じた穴を有する単層カーボンナノホーン(SWCNH)において,ナノホーン内側にほとんど炭素質の塵挨が無いことを見出した。このことは,SWCNHナノ空間内部の物質貯蔵としての利点を示す。しかし,空気中酸化SWCNHのカルボキシル基の数は少なく,これは化学的機能化にとって不利である。そこで著者らは,二重酸化,即ち,最初に500°Cまでの空気中緩慢酸化を施し,続いて室温で四日間の過酸化水素処理を行った。これにより,炭素質塵挨の発生がなく,多数のカルボキシル基を生成させてSWCNHの層に穴を形成させることに成功した,と報告した。

シソーラス用語： *カーボンナノホーン ,  *酸化 ,  酸素 ,  過酸化水素 ,  化学物質 ,  穴あけ ,  空間 ,  貯蔵 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  赤外吸収スペクトル ,  温度依存性 ,  カルボキシ基
準シソーラス用語： カルボキシル基 ,  ナノ空間 ,  *単層カーボンナノホーン ,  炭素質物質 ,  二重酸化

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層カーボンナノホーン ,  酸素 ,  過酸化水素 ,  酸化