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J-GLOBAL ID：201002243660875878   整理番号：10A1032123

面内歪の下でのZnO薄膜の格子及び内部緩和

Lattice and internal relaxation of ZnO thin film under in-plane strain

著者 (4件)： GUOQIANG Qin ,  GUANGLEI Zhang ,  DONGCHUN Li ,  SHIMIN Liu
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 519  号： 1  ページ： 378-384  発行年： 2010年10月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 面内歪の下でのZnO薄膜の格子及び内部緩和の効果について詳細な第一原理密度汎関数計算を行った。格子緩和と内部緩和を含む制限された結合機構の下で古典的弾性変形挙動が見出された。内部緩和は垂直方向での面内歪の効果を増大する働きをし,残留応力と歪エネルギーを低減し,最終的に得られた構造のエネルギー的安定性を増大する。対照的に,自由格子及び内部緩和は弾性歪エネルギーの一部を消費して,縮退空間郡対称性を持ち,どの方向にも残留応力のないより安定な構造へと導く。加えて,自由緩和は,より小さいPoisson比,減少した圧電効果,Γ点におけるバンドギャップのΛ型変形,2種類のZn-O結合の間の電荷分布の一様性における低減したシフト,のような弾性変形に関する多くの様相においていくつかの異なった挙動をもたらす。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *格子歪 ,  構造緩和 ,  密度汎関数法 ,  *残留応力 ,  歪エネルギー ,  Poisson比 ,  圧電気 ,  *バンドギャップ ,  弾性変形
準シソーラス用語： 面内歪 ,  *第一原理計算

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 面内歪 ,  ZnO薄膜 ,  格子 ,  緩和