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J-GLOBAL ID:201002243973539909   整理番号:10A0677215

単色軟X線によるSi(111)-7×7に吸着したSF6の光分解

Photolysis of SF6 adsorbed on Si(111)-7×7 by monochromatic soft X-ray
著者 (7件):
資料名:
巻: 604  号: 17-18  ページ: 1494-1501  発行年: 2010年08月30日 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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連続時間光電子分光法(PES)と光子露出依存光子励起脱着(PSD)を用いて,30KでSi(111)-7×7に吸着したSF6分子(SF6線量=3.4×1013molecules/cm2,約0.5単分子層)の単色軟X線誘起解離を研究した。吸着SF6の光子誘起発展は,98と120eV[Si(2p)端近く]の光子エネルギーで監視し,連続価電子準位PESスペクトルは,エネルギーの関数として光分解断面積の推論を可能にした。98と120eV光子の光分解断面積がそれぞれ約2.7×10-17と約3.7×10-17cm2であることが分かった。F-とF+ PSDイオン収率の変化も,120eVの光子照射中に測定した。F-とF+イオン収率の光子曝露依存性は以下の特性を示した。(a)吸着したSF6分子の解離は基板媒介解離に起因する[シリコン基板からの光電子放出によって起こる解離性付着(DA)と双極子解離(DD)],(b)光分解の初期段階では,F-収率は主に吸着SF6分子のDAとDDのためであるが,高光子曝露では,F+イオンの電子捕獲によるF-形成が支配的機構でありそうである,(c)F+イオン脱着は表面SiF種の結合切断に関連している,(d)表面SiFは,SFn(n=1~6)種のS-F結合の切断によって生成するフッ素原子またはF-イオンと表面Si原子との反応によって形成される。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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塩  ,  物理的手法を用いた吸着の研究 
タイトルに関連する用語 (6件):
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