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J-GLOBAL ID：201002244189270029   整理番号：10A0955468

AlGaN/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける共通エミッタ動作のデモンストレーション

Demonstration of Common-Emitter Operation in AlGaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors

著者 (3件)： MIYAKE Hiroki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 9  ページ： 942-944  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいAlGaN/SiC(窒化ガリウムアルミニウム/炭化ケイ素)HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)の製造と特性評価について報告した。従来のHBTには,エミッタ接合における大きな漏れ電流のため,共通エミッタモードでの動作は提供されていなかった。HBTでの共通エミッタ動作の実現のため,筆者らはn-GaN/p-SiCエミッタ接合に焦点を合わせた先行研究をおこなってきた。本研究において,HBTにはAlN/GaN短周期超格子構造(準AlGaN)をワイドギャップ・エミッタとして使用した。本稿では,成功裡に達成されたバンドオフセット制御と初めての共通エミッタ動作を提示した。本研究が,高い電子注入効率を実現し電流利得を向上させるのに有望であることが示された。

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,  超格子 ,  化合物半導体 ,  バンドギャップ ,  *エミッタ【半導体】 ,  半導体材料 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  超格子構造 ,  *ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  窒化アルミニウムガリウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  SiC ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  エミッタ ,  デモンストレーション