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J-GLOBAL ID:201002244211316291   整理番号:10A0852157

LPE法により成長させたLuAG:Ce単結晶膜のシンチレーション特性

Scintillation properties of LuAG:Ce single crystalline films grown by LPE method
著者 (6件):
資料名:
巻: 32  号: 10  ページ: 1360-1363  発行年: 2010年08月 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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液相エピタキシーを用いてPbO-B2O3(PB)及びBaO-B2O3-BaF2(BBB)フラックスからLu3Al5O12:Ce(LuAG:Ce)薄膜を成長させた。光電子収率,その時間依存性,エネルギー分解能をα線励起下で測定した。Czochralski法で成長させた塊状LuAG:Ce結晶試料を基準として測定した。結晶の光電子収率は最良で,BBBフラックスから成長させたやや劣る膜がこれに続き,PBフラックスから成長させた膜の性能は悪かった。BBBフラックスから成長させた試料と基準結晶はシンチレーション応答に強力な低速成分を示した。相対エネルギー分解能は光電子収率に間接的に比例し,9%~28%で変化した。得られた結果を用いたフラックスと技術の影響を考慮して論じた。また,α粒子エネルギー沈積と基のシンチレーション応答の影響も論じた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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無機化合物のルミネセンス 
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