抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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液晶パネルに使用されICを実装するCОF(Chip On Film)基板には高精度,高放熱,高信頼性が要求される。CОFの製造法であるフォトレジストの隙間にめっきで配線を積み上げるアディティブ法において,配線間のめっきの厚み差が小さいセミアディティブ法を開発した。セミアディティブ法は,ポリイミド表面全面に薄膜導電層を設け,その層を介して配線形成のめっきを施し,後で配線間の薄膜導電層を取り除く方法である。CОFの性能に関し,以下の点を確認した。1)従来のサトラクティブ法に比べ,配線幅密度が4倍,配線位置精度で2倍の高精度CОFである。2)配線の矩形性が高く,微細配線でも容易に厚みを上げることができる高放熱性CОFである。3)微細配線でも信頼性が高い。