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J-GLOBAL ID：201002244387386229   整理番号：10A1490148

冷壁酸化炉中のSiO₂/H-SiCの希薄窒素酸化物(NO)アニーリング

Diluted nitric oxide (NO) annealing of SiO2/4H-SiC in cold-wall oxidation furnace

著者 (2件)： KOSUGI R ,  FUKUDA K
資料名： SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2
巻： 457-460  ページ： 1345-1348  発行年： 2004年 
JST資料番号： O6090A  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化 ,  SiO2 ,  SiC ,  窒素酸化物 ,  NO ,  アニーリング