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J-GLOBAL ID：201002244436913035   整理番号：10A1384183

カルコパイライト型半導体AgGaSe₂結晶の光学評価による物性解析

Properties analysis of chalcopyrite semiconductor AgGaSe₂ by optical measurement

著者 (2件)： 永岡章 (宮崎大 工) ,  吉野賢二 (宮崎大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 258(OPE2010 88-124)  ページ： 117-120  発行年： 2010年10月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 三元系カルコパイライト型半導体は,多元系という特性のためSiやGeといった元素半導体では得られない有益な物性値を持っている。特に,AgGaSe₂は,バンドギャップ1.8eV,大きな非線形光学係数,赤外域での高い透過率,光吸収係数10₅cm^-1オーダーというオプトエレクトロニクスデバイス応用に必要な物性値を持つ。本研究では,半導体物性の重要な項目の一つである欠陥準位と基礎物性値の一つである抵抗値の評価を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体 ,  銀 ,  ガリウム ,  セレン ,  *非線形光学 ,  バンドギャップ ,  *オプトエレクトロニクス ,  欠陥準位 ,  抵抗 ,  ホットプレス ,  X線回折 ,  励起子
準シソーラス用語： *キャルコパイライト ,  赤外域 ,  物性値

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶 ,  光学 ,  評価 ,  物性 ,  解析