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J-GLOBAL ID：201002244472984550   整理番号：10A0387223

四塩化けい素の亜鉛還元による粗シリコンナノワイヤの気相合成

Gas-Phase Synthesis of Rough Silicon Nanowires via the Zinc Reduction of Silicon Tetrachloride

著者 (4件)： UESAWA Norihisa (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  INASAWA Susumu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TSUJI Yoshiko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Yukio (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 10  ページ： 4291-4296  発行年： 2010年03月18日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板上で金属触媒を調製しないで,約1000°Cで亜鉛蒸気と四塩化ケイ素の気相反応により,粗面を有するシリコンナノワイヤを合成した。走査型電子顕微鏡やX線回折等によるキャラクタリゼーションにより,次の結果を得た。反応温度に依存して,粗面ナノワイヤの分率とその径が変化した。平滑面を有するナノワイヤは<110>成長方向を有し,粗面を有するナノワイヤは<111>または<112>方向に平行に成長した。ナノワイヤの表面安定性の相違および側壁上へシリコンの直接蒸着により,粗面を有するナノワイヤの「成長方向依存」生成を説明した。ナノワイヤの一端で亜鉛粒子を観察した。VLS成長機構により,ナノワイヤはこれら亜鉛粒子から形成した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *化学合成 ,  還元 ,  *亜鉛 ,  VLS成長 ,  粗面 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  X線光電子分光法 ,  蛍光X線分析 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  温度依存性 ,  Gibbs自由エネルギー ,  *シリコンナノワイヤ ,  *気相合成

分類 (1件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

物質索引 (1件)： 四塩化けい素

タイトルに関連する用語 (5件)： 四塩化けい素 ,  亜鉛 ,  還元 ,  シリコンナノワイヤ ,  気相合成