MA Fa-Jun について
RUSTAGI Subhash C. について
Inst. Microelectronics, Singapore について
SAMUDRA Ganesh S. について
National Univ. Singapore, Singapore について
ZHAO Hui について
SINGH Navab について
Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore について
LO Guo-Qiang について
Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore について
KWONG Dim-Lee について
Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore について
IEEE Electron Device Letters について
モデリング について
MOSFET について
酸化 について
平面 について
FinFET について
ゲートオールアラウンド構造 について
シリコン について
ナノスケール について
応力遅延酸化 について
非平面構造 について
固体デバイス製造技術一般 について
トランジスタ について
ナノスケール について
シリコン について
応力 について
遅延 について
酸化 について
モデリング について