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J-GLOBAL ID：201002244885883060   整理番号：10A0268068

Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果 IV-〈112〉方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算-

著者 (3件)： 阿久津典子 (大阪電通大 工) ,  山本隆夫 (群馬大 工) ,  日比野浩樹 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 1 第4分冊  ページ： 957  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *表面構造 ,  *微斜面 ,  表面ステップ ,  *集群作用 ,  *密度行列 ,  くりこみ群 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *ステップバンチング

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  微斜面 ,  バンチング ,  近傍 ,  密度行列くりこみ群 ,  計算