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J-GLOBAL ID：201002244959620716   整理番号：10A1466402

溶液法有機FETのための低温処理可能な有機-無機ハイブリッドゲート誘電体

Low-Temperature Processable Organic-Inorganic Hybrid Gate Dielectrics for Solution-Based Organic Field-Effect Transistors

著者 (8件)： NAGASE Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  HAMADA Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  TOMATSU Kenji (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  YAMAZAKI Saori (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  MURAKAMI Shuichi (Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, Osaka, JPN) ,  MATSUKAWA Kimihiro (Osaka Municipal Technical Res. Inst., Osaka, JPN) ,  NAITO Hiroyoshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 42  ページ： 4706-4710  発行年： 2010年11月09日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液法OFETのゲート誘電体として,硬化温度150°Cの低温硬化性ポリ(メチルシルセスキオキサン)[-Si(Me)(OR)-O-]_n(A,R=H,Me,Si≡)を用い,ITOガラス/A/P3HT/金電極からなる積層構造のOFETを作製した。電流電圧特性を測定した。高移動度で安定な素子を溶液法により作製できることを強調した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *高分子有機-無機ハイブリッド ,  *酸化膜 ,  架橋【高分子】 ,  *ポリシルセスキオキサン ,  置換基効果 ,  高分子溶液 ,  電極 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  金電極 ,  積層構造 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  安定性 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ITO電極 ,  P3HT【重合体】 ,  *ゲート誘電体 ,  ポリメチルシルセスキオキサン ,  硬化【高分子】 ,  低温プロセス ,  OFET

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液 ,  有機FET ,  低温処理 ,  有機-無機ハイブリッド ,  ゲート誘電体