V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>層を持つポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタの製作及び評価

MINAGAWA Masahiro; HIGASHIKAWA Tetsuyuki; NAKAI Kentaro; SHINBO Kazunari; OHDAIRA Yasuo; BABA Akira; KATO Keizo; KANEKO Futao

文献

J-GLOBAL ID：201002245056304750 整理番号：10A0695049

V₂O₅層を持つポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタの製作及び評価

Fabrication and Evaluation of Poly(3-hexylthiophene) Field-Effect Transistor With V₂O₅ Layer

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資料名：
巻： 519 ページ： 213-221 発行年： 2010年04月
JST資料番号： B0877A ISSN： 1542-1406 CODEN： MCLCE9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

有機薄膜電界効果トランジスタ(FET)の大きな欠点は,移動度と電導度が無機薄膜FETに比べて低いことである。そこで,電界効果キャリア移動度を高めるべ,有機薄膜層に酸化物薄膜層を挿入させて電気特性の改善を目指した。ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)を有機薄膜に用いた有機電界効果トランジスタ(OFET)を製作した。有機薄膜層の上に,Lewis酸のV₂O₅薄膜層を挿入した。挿入Lewis酸薄膜の電気特性に及ぼす影響を調べた.即ち,OFETは活性層P3HTとLewis酸層としての五酸化バナジウムとから成る。V₂O₅層を持たせたOFETが,V₂O₅層の無いのものに比べて,より大きなドレイン電流を示した。合成OFETの計算電界効果移動度は1.4×10^-2cm²/(Vs)で,無しのものは6.2×10^-3cm²/(Vs)であった。さらに,V₂O₅層を持つOFETの電気特性はV₂O₅層の厚さに依存し,V₂O₅層の厚さが適切なときにドレイン電流は向上した。このことは,H3HT層とV₂O₅層との間に電荷移動錯体が形成され,ゲート電圧に応じて解離し,その結果の生じた正孔がドレイン電流に寄与して,高い見掛け移動度をもたらせたと推測した。

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高分子固体の物理的性質 , 有機化合物の薄膜 , トランジスタ

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V2O5層を持つポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタの製作及び評価

V₂O₅層を持つポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタの製作及び評価